3 月 13 日消息，三星電子和 SK 海力士等全球 DRAM 巨頭正在加速推進?3D DRAM 的商用化，但遠不如美光公司（從 2019 年開始進行 3D DRAM 研究，獲得的專利數量是兩家公司的 2 ~ 3 倍）。

12 日，韓國半導體業界消息稱，三星電子和 SK 海力士的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示將加速 3D DRAM 商業化，他們認為 3D DRAM 是克服 DRAM 物理局限性的一種方法。

在首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上，三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室室長李鐘明表示:“3D DRAM 被認為是半導體產業的未來增長動力。”

此外，負責 SK 海力士未來技術研究所的 SK 海力士副總經理車善龍也表示：“將于明年公開 3D DRAM 的電子特性細節，從而確定開發方向。”

3D DRAM 是一種采用全新結構的存儲芯片。簡單來說，現有 DRAM 產品開發的重點是通過減小電路線寬來提高密度，但隨著線寬進入 10nm 范圍，業界開始面臨電容器漏電和干擾等物理限制。為了避免或削弱這種影響，業界引進了高介電常數 (高 K) 沉積材料和極紫外 (EUV) 設備等新材料和設備。但半導體行業認為，制造 10nm 或更先進芯片的小型芯片將為制造商帶來巨大挑戰。

三星電子和 SK 海力士今年實現量產的高端 DRAM 線寬為 12 納米。考慮到目前 DRAM 線寬微縮至 1nm 將面臨的情況，業界認為 3 ~ 4 年后新型 DRAM 商品化將會是一種必然，而不是一種方向。

當然，與現有的 DRAM 市場不同，據所知 3D DRAM 市場目前還沒有絕對的領導者，因此快速量產才是至關重要的。隨著 ChatGPT 等人工智能應用產品的活躍，業界也開始增加對高性能、大容量存儲半導體的需求。

相信隨著三星電子和 SK 海力士開始加快 3D DRAM 技術的商用化，我們未來也將會更多廠商甚至中國廠商推出類似的技術方案和產品，敬請期待。