3 月 13 日消息，據 BusinessKorea 報道，三星將于今年上半年開始量產第三代 4 納米芯片，將穩定制程早期階段的良率問題，以及提升性能、功耗和做出面積改進。

三星電子 12 日公布的《三星電子事業報告書》中顯示，三星將于今年上半年開始量產基于 4nm 工藝的 2.3代芯片。

這是三星電子首次提及 4 納米后續版本的具體量產時間。與 4 納米芯片的早期版本 SF4E 相比，第二代和第三代產品表現出了更好的性能，而且還帶來了更低的功耗和更小的面積。

不過，三星電子在 SF4E 芯片實現商用之后在芯片產量的管理上也遇到了一系列難題，最終因為能耗表現不佳再加上產能限制將大客戶高通拱手讓給了臺積電。

業內人士估計，三星電子目前 4 納米工藝良率可達到 60%，而臺積電同類型良率可達到 70~80%。專家們認為，三星電子良品率正在迅速提高，后續產品的量產也在加快。

隨著三星電子在先進工藝上不斷突破，在性能提高的前提下保證產能，預計可在 5nm 級以上的工藝量產方面與臺積電進一步進行競爭。

相信常看的用戶大都清楚，當下最先進的半導體工藝是 3nm 級別，但無論是臺積電還是三星目前的主要產品還是 4nm 和 5nm。

根據市場研究公司 Counterpoint Research 的數據，截至去年第三季度，4 納米和 5 納米工藝占銷售額占比最高，達到了?22%，超過了 6 納米和 7 納米工藝的 16% 和 16、14 和 12 納米工藝的 11%。